Наверх
Меню
Новости
Статьи
twitter
Новости науки и техники
15 декабря 2006
1547
  Samsung предрекает приход «эры слияния»  
 
Компания Samsung Electronics поделилась с общественностью ошеломляющими перспективами новой технологии, которая, как утверждается, способна изменить полупроводниковую отрасль. Речь идет о так называемом «трехмерном кремнии». Выступая на 2006 International Electron Devices Meeting (IEDM), президент компании и исполнительный директор подразделения, занятого производством полупроводниковой продукции, доктор Chang-Gyu Hwang, заявил, что мир находится на пороге наиболее значительного перехода в полупроводниковой отрасли за всю историю ее существования. Оно превзойдет по масштабам периоды развития, связанные с выпуском ПК и потребительской электроники.

О сути грядущих изменений можно судить хотя бы по заголовку доклада: «Новые парадигмы в кремниевом производстве». По словам доктора Hwang, «приближающаяся эра прогресса в технологиях электроники – эра слияния – будет невероятной по масштабам, охватит сферы информационных технологий, биотехнологий и нанотехнологий, и откроет безграничные возможности для нового роста полупроводниковой промышленности».

Зародившись из производства ПК, ежегодный объем которого оценивается сейчас в 200 миллионов единиц продукции, производство мобильной и другой потребительской электроники по годовому объему выпуска превосходит два миллиарда единиц. «Эра слияния» поднимет объем рынка до 6,5 миллиарда единиц, и затронет, буквально, каждого жителя планеты.

Спрос на полупроводниковую продукцию растет постоянно, но в будущем его обусловят новые, крупные потоки потребления. Речь идет о биотехнологии, здравоохранении, робототехнике, аэрокосмической технике, производстве солнечных батарей и о других областях взаимного проникновения технологий, свойственного «эре слияния».

Одним из ключевых моментов, способных обусловить дальнейшее развитие, станет преодоление сегодняшних технологических ограничений. В частности, критически важным является выход за существующие границы технологических норм полупроводникового производства. Это должно дать производителям контроль над «ограниченными количествами электронов» и уменьшить уровень шумов внутри полупроводниковых приборов – другими словами, обойти факторы, являющиеся причинами наиболее существенных «узких мест» двухмерных структур.

Решение этих задач специалисты Samsung видят в использовании объемных структур - «трехмерного кремния». В настоящее время этот подход опробован применительно к простейшим элементам – транзисторам, однако предстоят и более глобальные нововведения.

Начало «эры слияния» ожидается в районе 2010 года, когда плотность полупроводниковых чипов перевалит за терабитный порог. Степень интеграции возрастет – все большее количество чипов будет включать различные типы памяти, логику, датчики, процессорные элементы.


  Источник: ixbt.com
 



Поделиться с друзьями:


Другие новости по теме
 
Вы не авторизованный пользователь. Чтобы воспользоваться всеми возможностями сайта, зарегистрируйтесь.
 

Комментарии

Добавление комментария
Ваше имя
Ваш Email
Код Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить код
Введите код