Наверх
Меню
Новости
Статьи
twitter
Новости Hardware
16 декабря 2006
2027
  Sony, Toshiba и NEC разработали 45 нм платформу  
 
Компании Sony, Toshiba и NEC сообщили на днях, что в сотрудничестве разработали платформу, основанную на 45 нм технологии. Сами чипы, изготавливаемые по этому техпроцессу, предназначены для систем с низким энергопотреблением и будут введены в эксплуатацию в начале 2007 года. У Toshiba и NEC также имеются соглашения с Fujitsu и Renesas Technology по разработке 45 нм и более тонких технологических процессов. В основе разработанной технологии лежит интеграция мосфетов (MOSFET - metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, канальный полевой униполярный МОП-транзистор) особого типа, а также использование low-k (с низкой константой диэлектрической проницаемости) диэлектрической плёнки. Для создания мосфетов нового типа применяется технология локальной деформации кристаллической структуры полупроводника, приводящей к более высокой скорости переключения транзисторов.



Применение плёнки-изолятора с низкой диэлектрической проницаемостью на внутреннем слое проводника в чипе уменьшает паразитные ёмкости и также способствует улучшению характеристик чипа в целом. Срок эффективной службы такой плёнки – порядка 15 лет, что много больше времени морального устаревания микроэлектронного оборудования. Кроме того, технология продемонстрировала очень высокий выход годных чипов – порядка 98%, что свидетельствует о зрелости и эффективности техпроцесса. Сообщения о конкретных продуктах, в которых будут применяться 45 нм чипы этих трёх компаний последуют в будущем.


  Источник: techlabs.ru
 



Поделиться с друзьями:


Другие новости по теме
 
Вы не авторизованный пользователь. Чтобы воспользоваться всеми возможностями сайта, зарегистрируйтесь.
 

Комментарии

Добавление комментария
Ваше имя
Ваш Email
Код Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить код
Введите код