Наверх
Меню
Новости
Статьи
twitter
Новости Hardware
9 января 2007
2516
  Samsung анонсирует GDDR4-память с быстродействием 4 Гбит/с  
 
Компания Samsung Electronics сообщила некоторые детали о новых чипах GDDR4-памяти ёмкостью 512-Мбит, которые будут представлены ею на ISSCC. Изготавливаемые с применением 80-нм техпроцесса, эти устройства ставят новый рекорд быстродействия, работая на частоте 2 ГГц и обеспечивая скорость передачи данных 4 Гбит/с.

Для сравнения, самая быстрая серийно выпускаемая GDDR4-память Samsung работает на частоте 1,4 ГГц, используемые сейчас в графических адаптерах AMD/ATI Radeon X1950XTX чипы GDDR4-памяти имеют номинальную частоту 1 ГГц, а в AMD/ATI R600, по неподтверждённым данным, будет использоваться 1,1-ГГц память.

Для снижения шумов и уменьшения энергопотребления разработчики использовали ряд нововведений, благодаря которым на 21 pS снизился джиттер «пик-пик» (peak-to-peak jitter) и на 68 мВ - пульсация напряжения.


  Источник: ixbt.com
 



Поделиться с друзьями:


Другие новости по теме
 
Вы не авторизованный пользователь. Чтобы воспользоваться всеми возможностями сайта, зарегистрируйтесь.
 

Комментарии

Добавление комментария
Ваше имя
Ваш Email
Код Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить код
Введите код