Наверх
Меню
Новости
Статьи
twitter
Новости Hardware
3 февраля 2007
2450
  Samsung представила прототип чипа памяти PRAM  
 
Увеличить картинку


Южнокорейская компания Samsung Electronics сообщила о разработке прототипа микрочипа памяти PRAM.


Исследования в области разработки памяти PRAM (Phase-change Random Access Memory) с изменяемым фазовым состоянием ведутся уже не первый год. Принцип работы такой памяти основан на свойстве халькогенидных полупроводников находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество носителя представляет собой непроводящий аморфный материал, а другой - кристаллический проводник. Изменение фаз осуществляется путём приложения электрического потенциала, при этом сама память является энергонезависимой.

Рабочий прототип чипа памяти PRAM, продемонстрированный Samsung, имеет ёмкость 512 Мбит. Одним из основных достоинств микросхемы является высокая скорость работы. Данные на носитель могут записываться без предварительного стирания, что обеспечивает примерно тридцатикратное увеличение быстродействия по сравнению со стандартными микросхемами флэш-памяти. Память PRAM также обладает примерно на порядок большим сроком службы по сравнению с чипами флэш-памяти типа NOR. Кстати, именно память NOR высокой плотности в перспективе могут заменить микросхемы памяти с изменяемым фазовым состоянием.

В Samsung подчёркивают, что процесс изготовления чипов PRAM требует примерно на 20 процентов меньше технологических операций, нежели это необходимо для памяти NOR. Поставки чипов памяти с изменяемым фазовым состоянием южнокорейская компания рассчитывает начать в 2008 году.


  Источник: hard.compulenta.ru
 



Поделиться с друзьями:


Другие новости по теме
 
Вы не авторизованный пользователь. Чтобы воспользоваться всеми возможностями сайта, зарегистрируйтесь.
 

Комментарии

Добавление комментария
Ваше имя
Ваш Email
Код Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить код
Введите код