Наверх
Меню
Новости
Статьи
twitter
Новости науки и техники
29 марта 2007
1916
  Корпорация Intel построит в Китае фабрику по производству микросхем на основе 300-мм кремниевых подложек  
 
Пекин, 26 марта 2007 г. – Корпорация Intel обнародовала свои планы по строительству новой фабрики по производству микросхем на базе 300-мм кремниевых подложек, которая будет располагаться на северо-востоке Китая в городе Далянь (провинция Ляонинь). На строительство новых производственных мощностей, которые получили название Fab 68, выделено 2,5 миллиарда долл. Это предприятие станет первой фабрикой Intel по производству микросхем в азиатском регионе.

«Китай является для нас одним из самых быстро растущих рынков. Мы придаем очень большое значение инвестициям в развивающиеся рынки, чтобы подготовить условия для будущего роста и улучшения обслуживания наших клиентов, – заявил Пол Отеллини (Paul S. Otellini), президент и главный исполнительный директор корпорации Intel. – Fab 68 станет нашей первой фабрикой за последние 15 лет, которая будет построена в новом месте. Корпорация Intel присутствует на рынке Китая уже более 22 лет. За это время общая сумма инвестиций в мощности по упаковке и тестированию продукции, а также в исследования и разработки превысила 1,3 миллиарда долл. Благодаря нашим капиталовложениям в строительство новой фабрики эта сумма достигнет почти 4 миллиардов долл., тем самым корпорация Intel станет одним из самых крупных иностранных инвесторов в Китае».

С 1992 года — когда была построена фабрика Fab 10 в Ирландии — корпорация Intel еще ни разу не создавала производств с нулевого цикла в совершенно новых географических регионах. Строительство Fab 68 начнется уже в текущем году, а начало производства запланировано на первую половину 2010 года. Планируется, что первоначально на Fab 68 будут производиться наборы микросхем для поддержки работы основной продукции Intel – микропроцессоров.

«За последние годы это самый крупный совместный проект Китая и США в области производства интегральных схем. Он в очередной раз подтверждает тот факт, что Intel занимает передовые позиции в мировой полупроводниковой отрасли. В то же время инвестиции в Далянь окажут благотворное влияние на развитие экономики региона, а также на развитие высокотехнологичных производств в северо-восточном Китае, где располагается одна из старейших промышленных зон, – считает Жанг Сяокьянг (Zhang Xiaoqiang), заместитель председателя Национальной комиссии развития и реформ Китая. – Мы приглашаем к сотрудничеству Intel и другие транснациональные корпорации для развития бизнеса в Китае. Мы поддерживаем инициативу Intel по расширению и углублению сотрудничества в ключевых областях, таких как обучение талантливой молодежи, создание технологических стандартов, разработка информационных технологий для сельских районов и медицинских учреждений. Эта совместная деятельность приносит ощутимые выгоды как самой корпорации Intel, так и информационной индустрии Китая. Вместе мы добьемся поставленных целей».

Мэр города Далянь Ся Дерен (Xia Deren) отметил: «Так как наш город расположен на побережье, то это дает множество географических преимуществ. Кроме того, он располагает развитой инфраструктурой, что привлекает в наш регион иностранных инвесторов. Мы очень рады, что корпорация Intel выбрала именно наш город для строительства новой фабрики по производству микросхем. Эти инвестиции будут не только способствовать социальному и экономическому развитию Даляня, но и окажут значительное положительное воздействие на экономическую и промышленную структуру всего северо-восточного Китая».
После завершения строительства Fab 68 вольется в сеть производственных мощностей Intel, которая к 2010 году будет насчитывать восемь фабрик по производству микросхем на основе 300-мм кремниевых подложек. Другие заводы, которые работают по этой технологии, находятся в США, Ирландии и Израиле. Использование 300-мм кремниевых подложек позволяет значительно увеличить объем производства полупроводниковых микросхем и снизить их себестоимость по сравнению с использованием традиционных 200-мм (восьмидюймовых) подложек. Увеличение диаметра подложек позволяет сократить производственные затраты в расчете на одну микросхему и снизить общее количество используемых ресурсов. Например, на фабриках, которые выпускают продукцию на базе производственной технологии с применением 300-мм кремниевых подложек, расходуется на 40% меньше электроэнергии и воды на одну микросхему по сравнению с производствами, на которых используются 200-мм подложки.

Источник: Пресс-служба Intel


 



Поделиться с друзьями:


Другие новости по теме
 
Вы не авторизованный пользователь. Чтобы воспользоваться всеми возможностями сайта, зарегистрируйтесь.
 

Комментарии

Добавление комментария
Ваше имя
Ваш Email
Код Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить код
Введите код