Наверх
Меню
Новости
Статьи
twitter
Новости Hardware
1 ноября 2010
2681
  10-нанометровые микрочипы могут появиться в 2016 году  
 
10-нанометровые микрочипы могут появиться в 2016 году
Intel, Samsung и Toshiba объединяют усилия с целью разработки технологий производства микросхем с нормами на уровне 10 нанометров. Как сообщается, названные компании намерены сформировать консорциум, к которому в перспективе присоединятся ещё около десяти фирм и организаций, работающих в полупроводниковой и смежных отраслях. На начальном этапе в проект вложат 10 млрд иен (приблизительно $122 млн), из которых половину, предположительно, предоставит Министерство экономики, торговли и промышленности Японии (METI).

Производство микросхем по технологиям с нормами на уровне 10 нанометров планируется освоить в 2016 году. Toshiba и Samsung смогут использовать этот техпроцесс при изготовлении чипов флеш-памяти NAND, ну а Intel переведёт на него выпуск своих компьютерных решений.

Напомним, что сейчас самые современные процессоры «Интел» изготавливаются по 32-нанометровой технологии. В следующем году, как ожидается, корпорация начнёт выпускать 22-нанометровые изделия. Миниатюризация позволит реализовать в процессорах дополнительные функции и возможности, которые обеспечат не только увеличение времени автономной работы портативных устройств от аккумуляторной батареи, но и снижение стоимости конечных продуктов.


  Автор: Владимир Парамонов
  Источник: computerra.ru
 



Поделиться с друзьями:


Другие новости по теме
 
Вы не авторизованный пользователь. Чтобы воспользоваться всеми возможностями сайта, зарегистрируйтесь.
 

Комментарии

Zhenia 1 ноября 2010 16:38
кто знает вообще какой предел? ведь он должен наступить...


--------------------
Intel "Core i7-950" (3.06ГГц, 4x256КБ+8МБ, EM64T), Noctua "NH-U12P Special Edition SE2", GIGABYTE "GA-X58A-UD3R", 2*3x2ГБ DDR3 SDRAM Kingston "Hyper X" KHX2000C9AD3T1K3/6GX, 2*2048МБ Sapphire "Radeon HD 5970" 21165-00, SSD 60ГБ 2.5" OCZ "Agility 2" OCZSSD2-2AGTE60G, Miditower Cooler Master "Sniper Black Edition" SGC-6000-KXN1-GP, ATX, 950Вт Corsair "TX950W" CMPSU-950TXEU ATX12V V2.3,

AMD Phenom X4 9750 2.4GHz 2Mb+2Mb BOX, Asus AM2+ M3A78-EH AMD780G/SB700, Sapphire ATI Radeon HD4850 512 GDD3, Dimm DDR-II 1024x4 PC8500 Kingstom, Barracuda 120Gb 8mb 7200 WD 400Gb 32mb 7200, CHieftec ATX SG-01 SL ATX, Hiper [HPU-4M530] 530W. G15 and Razer Imperator QcK+
 
 
 

FerlySky 1 ноября 2010 17:12
кто знает вообще какой предел? ведь он должен наступить...

Предел наверно наступит, когда доберутся до уровня молекул - а это уже уровень квантовой механики...
 
 
 

ZAR 1 ноября 2010 20:32
Насколько я слышал от своих преподов) недалёк тот день когда смогут достичь уровня толщины слоя в 1 атом. А еще я слышал, что физические явления происходящие в пределах от 1 до 10 нм начинают резко менять свой характер нежели физ. явления которые лежат от 10 нм и более.


--------------------
ASRock K10N78D, AMD Phenom II x4 955 + Ice Hammer 3676SC, 4 Гб ОЗУ, Gigabyte GTX 660 2Гб. БП Hiper 700 Вт.
 
 
 

Suppafly 2 ноября 2010 09:40
Zhenia,
FerlySky,
ZAR,
Не забываем про квантовые компьютеры. Вполне возможно, что попозжа развитие уже пойдет не только и не столько в сторону миниатюризации, ибо там уже отдача от инвестиций может быть сомнительна. В более ближней перспективе вполне возможна смена базового элемента с кремния на углерод для дальнейшей миниатюризации.

Ну это насколько я там почитывал всякие новости :)


--------------------
Q8300@3.24, 4 GB RAM, HD 5850 Vapor-X, 600W ENHANCE, A4 X750BF, A4 X7 G100, Microsoft KB4000, X-Fi SB730 -> Sennheiser HD 212 Pro, WD 6401AALS
Mobile: ASUS F3-SR, Gsmart G1305
ASUS RT-N10
 
 
 

Zhenia 2 ноября 2010 09:54
Suppafly,
в данный момент интересно до каких пределов будут доить эту технологию, то что ей на смену придёт более продвинутая сомнения нет, просто интересно сколько молока может приносить корова:)


--------------------
Intel "Core i7-950" (3.06ГГц, 4x256КБ+8МБ, EM64T), Noctua "NH-U12P Special Edition SE2", GIGABYTE "GA-X58A-UD3R", 2*3x2ГБ DDR3 SDRAM Kingston "Hyper X" KHX2000C9AD3T1K3/6GX, 2*2048МБ Sapphire "Radeon HD 5970" 21165-00, SSD 60ГБ 2.5" OCZ "Agility 2" OCZSSD2-2AGTE60G, Miditower Cooler Master "Sniper Black Edition" SGC-6000-KXN1-GP, ATX, 950Вт Corsair "TX950W" CMPSU-950TXEU ATX12V V2.3,

AMD Phenom X4 9750 2.4GHz 2Mb+2Mb BOX, Asus AM2+ M3A78-EH AMD780G/SB700, Sapphire ATI Radeon HD4850 512 GDD3, Dimm DDR-II 1024x4 PC8500 Kingstom, Barracuda 120Gb 8mb 7200 WD 400Gb 32mb 7200, CHieftec ATX SG-01 SL ATX, Hiper [HPU-4M530] 530W. G15 and Razer Imperator QcK+
 
 
 

Gadzilla 2 ноября 2010 10:51
потом просто они будут увеличивать количество 10нм микросхем.... скажем на 1 плате будут до 100 милиардом етих смех..в 3 ряда или более....и все это будет находится в жидком азоте)
 
 
 

ErikssonGoha 2 ноября 2010 20:49
ну такие цифры как 55 45 10 нм это показатель не самого транзистора, а ширина его затвора сам же транзистор куда крупнее 100 нм.Но высота транзистора при техпроцесе 55нм уже составляла 5нм.На переход на новый техпроцес встречаются такие проблемы: высокие токи утечек у оксида кремния(решили проблему другими материалами но и у них есть тоже предел),сложность рисования(процесоры создаются как фотографии)но инструмент которым рисуют ултрофиолетовый свет имеет размеры 190нм(чтоб уменшить размер волны на 90нм применяли воду чтоб уменьшить размер волны при приломленни света,при 45 нм стали использовать специальный маски-жидки слой который при уф засветке затвердевает-но чтоб 90нм светом нарисовать 45 нм брали в расчет уже дисперсию света в маске и несколько источников света для более интенсивной засветки нужного участка)

а так эффективный диаметр молекулы кремния 0.51нм-тобиш расстояние между молекулами
 
 
 

Suppafly 3 ноября 2010 11:36
ErikssonGoha,
А насколько перспективен углерод?


--------------------
Q8300@3.24, 4 GB RAM, HD 5850 Vapor-X, 600W ENHANCE, A4 X750BF, A4 X7 G100, Microsoft KB4000, X-Fi SB730 -> Sennheiser HD 212 Pro, WD 6401AALS
Mobile: ASUS F3-SR, Gsmart G1305
ASUS RT-N10
 
 
 

ErikssonGoha 3 ноября 2010 16:57
транзисторы из углерода только только начали делать,и то только опытные образцы , а для массового производства не кто даже не думал как его использовать ,елиб щас использовался углерод в место кремния то компы бы наверно уже летали,у него сопротивления идеальное по сравнению с кремнием,и в опытных образцах энергии на переключение затвора надо тратить меньше ,хоты я многих аспектов не заню)
 
 
 

Justice 4 ноября 2010 02:05
Кста насчет толщины в 1 атом углерода... Русские же недавно добились получения нового материала графена... Если добиться стабильности то его можно будет юзать )
 
 
 
Добавление комментария
Ваше имя
Ваш Email
Код Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить код
Введите код