Наверх
Меню
Новости
Статьи
twitter
Новости Hardware
Теги: Macronix
4 декабря 2012
599
  Подогревая флэш-память, специалисты Macronix смогли увеличить ее ресурс до 100 млн. циклов перезаписи  
 
Подогревая флэш-память, специалисты Macronix смогли увеличить ее ресурс до 100 млн. циклов перезаписи
Одним из основных недостатков флэш-памяти, особенно заметно проявляющимся по мене уменьшения размеров ячейки памяти, является физический износ, выливающийся в ограниченное число циклов перезаписи. Для современных образцов флэш-памяти типа MLC NAND ресурс исчисляется несколькими тысячами циклов.


Избавиться от недостатка, по словам компании Macronix, позволяет повышение температуры. Специалисты Macronix смогли восстановить работоспособность исчерпавшей свой ресурс памяти и продлить срок ее службы путем многочасового прогрева при температуре 250°С. Того же эффекта, по словам разработчиков, можно добиться за несколько миллисекунд локального прогрева до 800°C с помощью нагревателя, непосредственно встроенного в чип. Кстати, оказалось, что нагрев повышает скорость стирания, так что его можно использовать и с этой целью.

По оценке разработчиков, чипы с подогревом способны выдержать до 100 млн. циклов записи-стирания. Поскольку нагрев нужен редко, в случае мобильных устройств он не повлияет на время автономной работы — «лечение» памяти можно приурочить ко времени очередной подзарядки аккумулятора.
Когда разработка попадет на рынок, пока неизвестно, а вот узнать о подробностях технологии можно будет довольно скоро — в ходе тематического мероприятия IEEE, намеченного на следующую неделю.


  Автор: Accent
  Источник: ixbt.com
 



Поделиться с друзьями:


Другие новости по теме
 
Вы не авторизованный пользователь. Чтобы воспользоваться всеми возможностями сайта, зарегистрируйтесь.
 

Комментарии

boroda3 5 декабря 2012 19:05
Хи-хи... Советские радиолюбители применяли "поджаривание" микросхем еще аж в начале 80-х годов. Правда, цель была другой - восстановление работоспособности дефицитнейшей по тем временам КМОП-логики после "защелкивания" или повреждения статикой, но суть та же - термическое рассасывание вбитых куда не надо зарядов.
Режим - именно 6 часов при 250 оС.


--------------------
Asus M4A78Pro / Phenom X4 955@3.4Ггц + Scithe Mugen-2 / 2x Kingston 2G CL5 PC6400 / AMD HD6850 / 2x WD1003FBYX / Corsair TX650W
 
 
 
Добавление комментария
Ваше имя
Ваш Email
Код Включите эту картинку для отображения кода безопасности
обновить код
Введите код