Наверх
Меню
Новости
Статьи
twitter
Новости Hardware
8 марта 2008
2405
  Краткий FAQ от AMD по 45-нм процессорам  
 
Вероятно, предупреждая появление всевозможных вопросов среди поклонников продукции AMD после демонстрации рабочих образцов чипов Shanghai и Deneb, компания решила создать небольшой своеобразный FAQ по своей 45-нм производственной технологии. Приведём ответы на ключевые вопросы, волнующие потребителей и всех, кто не равнодушен к развитию процессорной индустрии.

Q1: Когда AMD представит свои 45-нм процессоры?

A1: Компания планирует начать производство в малых количествах первых 45-нм процессоров в первой половине года, а поставки серийных чипов стартуют во второй половине 2008 года.

Q2: Какие продукты будут первыми, выпущенными по 45-нм техпроцессу?

A2: Первыми 45-нм процессорами AMD станут четырехъядерные чипы с кодовыми именами Shanghai (для серверных систем) и Deneb (для настольных ПК).

Q3: Какие технологические усовершенствования внедрит AMD при переходе на 45-нм нормы?

A3: В рамках перехода на 45-нм техпроцесс AMD внедрит новые субмикронные технологии, а также усовершенствует существующие. Улучшения касаются главным образом структуры транзисторов, схем межсоединений и направлены на повышение соотношения «производительность на ватт», а также на устранение проблем, связанных с уменьшением размеров транзисторов.

Среди ключевых инноваций нового техпроцесса отмечаются:

  • Иммерсионная литография. Благодаря сотрудничеству с IBM, компания AMD применила иммерсионную литографию, что позволило увеличить разрешение на 40% по сравнению с традиционными литографическими методами при сопоставимом уровне затрат.
  • Технология напряженного кремния четвертого поколения. В рамках перехода на 45-нм нормы AMD задействует обновленную технологию напряженного кремния, предусматривающую нанесения слоя кремниево-германиевого (SiGe), а также применение методик Dual-Stress Liner (использует оба типа так называемого «напряжения кремния») и Strain Memorization (предполагает нанесение слоя нитрида кремния), что позволит повысить скорость переключения транзисторов и энергоэффективность.
  • Диэлектрики Ultra-low-k. Данная технология появится позже и не будет внедрена в первом поколени 45-нм продуктов. В рамках технологии предполагается использование диэлектриков со сверхнизким значением диэлектрической проницаемости, что позволит уменьшить задержки прохождения сигналов в межсоединениях чипов на 15% и увеличить в целом быстродействие процессоров.
  • High-k/metal gates. В рамках подхода, называемого компанией AMD Continuous Transistor Improvement (CTI), предполагается внедрение новых high-k диэлектриков и металлических затворов, что позволит обеспечить дальнейший рост производительности транзисторов. Как и диэлектрики Ultra-low-k, новая технология «high-k/metal gates» будет внедрена не сразу, а в следующих поколениях 45-нм продукции. Такой поэтапный подход компании AMD и IBM называют «gate first approach».и считают, что он позволит обеспечить более простой и оперативный переход к использованию металлических затворов и high-k диэлектриков.

    Большая часть приведенной выше информации уже появлялась в нашей новостной ленте, а также на зарубежных интернет-ресурсах, но, надеемся, для тех, кто не имеет возможности постоянно следить за новостями, этот небольшой FAQ окажется полезным.


  •   Автор: Александр Будик
      Источник: 3dnews.ru
     



    Поделиться с друзьями:


    Другие новости по теме
     
    Вы не авторизованный пользователь. Чтобы воспользоваться всеми возможностями сайта, зарегистрируйтесь.
     

    Комментарии

    Mun 9 марта 2008 09:10
    Intel кажется уже перешла на ди-электрики (Penryn)


    --------------------
    Core Duo 2 E6550 2.33GHz,8800GTS 640,2Gb DDR2,1000Gb HDD,ASUS P5K
     
     
     

    Ss0und 11 марта 2008 15:53
    Честно говоря бестолковый FAQ
    Ничего конкретного и путного!
     
     
     
    Добавление комментария
    Ваше имя
    Ваш Email
    Код Включите эту картинку для отображения кода безопасности
    обновить код
    Введите код